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SiC功率元器件

SiC肖特基势垒二极管

所谓SiC-SBD-SiC-SBD的发展历程

为了使大家了解SiC-SBD,前面以Si二极管为比较对象,对特性进行了说明。其中,也谈到SiC-SBD本身也发展到第2代,性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代产品的,所以在此汇总一下SiC-SBD的发展,整理一下当前实际上供应的SiC-SBD。

电源IC等通过不同的架构和配置功能比较容易打造出品牌特色,而二极管和晶体管等分立元器件,功能本身是一样的,因此是直接比较几乎共通的特性项目来选型的。此时,提前了解各产品的具体不同之处,有助于缩短设计时间。

SiC-SBD的发展

ROHM的SiC-SBD目前第2代是主流产品,已经实现近50种机型的量产销售。下图是第1代到第3代的正向电压与电流特性(VF vs IF)、以及正向电压与抗浪涌电流特性(VF vs IFSM)比较图。

SiC_2-4_vf
SiC_2-4_IFSM

第2代SiC-SBD通过改善制造工艺,保持了与以往产品同等的漏电流和trr性能,同时将VF降低了约0.15V。因而改善了VF带来的传导损耗。

第3代致力于提高抗浪涌电流特性(IFSM)并改善漏电流(IR)性能,采用了JBS(Junction Barrier Schottky)结构。
JBS结构基本上是对IFSM和IR有效的结构,成功地进一步改善了第2代实现的低VF特性。Tj=25℃时的代表值相同,Tj=150℃的条件下VF比第2代降低了0.11V。也就是说,高温条件下的工作更有利了。下面是第2代和第3代SiC-SBD的反向电压VR和反向(漏)电流IR图表,以及改善项目的数值比较表。

SiC_2-4_if
SiC_2-4_tbl

下面是为进一步理解VF的温度特性,从技术规格中抽取的图表。左侧为第2代产品“SCS210AG”,右侧为第3代产品“SCS310AP”,两者均为650V/10A。由图可知,第3代产品在高温时的VF-IF曲线坡度陡峭,相对同一IF,VF较低,已经得到改善。

vf210_vf310

当前供应的产品与开发计划

下面是当前供应的第2代产品和第3代产品。两者均在持续进行机型扩充中。希望下面给出的产品阵容能够成为大家进行个别规格确认等的参考。各技术规格详情可点击这里

第2代 SiC-SBD
SiC_2-4_2Gtable

第3代 SiC-SBD
SiC_2-4_3Gtable

关键要点:

・ROHMSiC-SBD已经发展到第3代。

・第3代产品的抗浪涌电流特性与漏电流特性得到改善,并进一步降低了第2代达成的低VF。