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关键词 : 超级结MOSFET

Si功率元器件

2018.12.20

总结

本文是Si功率元器件基础篇的最后一篇。此前选取整流二极管、肖特基势垒二极管、快速恢复二极管、MOSFET、超级结MOSFET、Presto MOS、Hybrid MOS等Si功率元件,对其基本特性进行...

关键词 :
BCM
CCM
FRD
HybridMOS
IGBT
MOSFET
PFC
PFC效率改善
PrestoMOS
SiC-MOSFET
SiC-SBD
SJ-MOSFET
SOA
临界模式
功率因数改善
功率因数校正/Power Factor Correction
快速恢复二极管
有源PFC
肖特基势垒二极管
超级结MOSFET
连续模式
降额

Si功率元器件

2018.12.20

空调用PFC电路 : 利用MOSFET和二极管提高效率的案例

上一篇文章中介绍了在LED照明电路中提升效率并降低噪声的案例,本文将介绍在空调中的案例。近年来,随着表示全年能效比的APF(Annual Performance Factor)在行业中引入实施,提高空...

关键词 :
BCM
CCM
IGBT
MOSFET
PFC
PFC效率
PFC效率改善
SiC-MOSFET
SiC-SBD
SJ-MOSFET
临界模式
功率因数改善
功率因数校正/Power Factor Correction
有源PFC
超级结MOSFET
连续模式

Si功率元器件

2018.11.22

LED照明电路 : 利用MOSFET提升效率并降低噪声的案例

从本文开始将介绍在具体应用中效率等的改善案例。 LED照明电路(临界模式PFC+DC/DC):利用MOSFET提升效率并降低噪声的案例 下面的电路摘自实际LED照明电路的相关部分。该LED驱动电路是D...

关键词 :
BCM
CCM
DC/DC转换器 效率
IGBT
MOSFET
MOSFET 效率
PFC
PFC效率
PFC效率改善
SiC-MOSFET
SJ-MOSFET
临界模式
功率因数改善
功率因数校正/Power Factor Correction
有源PFC
超级结MOSFET
连续模式

Si功率元器件

2018.10.11

电流连续模式PFC : 利用二极管提高效率的例子

继上一篇临界模式PFC的例子之后,本文将探讨电流连续模式PFC的二极管特性差异带来的效率差异。 利用二极管改善电流连续模式PFC电路效率示例 这是以前介绍PFC时用过的简化的PFC电路示例。下面来探讨...

关键词 :
BCM
CCM
FRD
IGBT
MOSFET
PFC
PFC仿真
PFC效率
SiC-MOSFET
SiC-SBD
SJ-MOSFET
临界模式
交错式PFC
功率因数改善
功率因数校正/Power Factor Correction
单级PFC
快速恢复二极管
有源PFC
电流连续模式
肖特基势垒二极管
超级结MOSFET

Si功率元器件

2018.09.20

临界模式PFC : 利用二极管提高效率的例子

在实际的应用电路中,二极管和晶体管因其特性和性能不同而需要区分使用。在电源类应用中区分使用的主要目的是提高效率。本文将介绍PFC(功率因数改善)的一个例子,即利用二极管的特性差异来改善临界模式(BCM...

关键词 :
BCM
CCM
FRD
IGBT
MOSFET
PFC
PFC仿真
PFC效率
SiC-MOSFET
SiC-SBD
SJ-MOSFET
临界模式
主动式PFC
交错式PFC
功率因数改善
功率因数校正/Power Factor Correction
单级PFC
快速恢复二极管
肖特基势垒二极管
超级结MOSFET
连续模式

Si功率元器件

2018.08.23

什么是PFC

从本文开始将介绍在实际应用电路中二极管和晶体管的特性和性能不同会带来什么样的差异、使用上有什么区分。首先以PFC(功率因数改善)为例开始,有些电子设备是必须配备PFC的,所以此次先稍微介绍一下PFC。...

关键词 :
BCM
CCM
FRD
IGBT
MOSFET
PFC
SiC-MOSFET
SiC-SBD
SJ-MOSFET
临界模式
主动式PFC
交错式PFC
功率因数改善
功率因数校正/Power Factor Correction
快速恢复二极管
肖特基势垒二极管
超级结MOSFET
连续模式

Si功率元器件

2018.07.26

总结

在本章中介绍了判断所选的晶体管在实际工作中是否适用的方法和步骤。本文将进行最后的汇总。 前面按照右侧流程图及下列各项确认了所选晶体管在实工作条件下是否适用,以及是否是在确保充分的可靠性和安全的条件...

关键词 :
IGBT
MOSFET
R6020EN
SiC-MOSFET
SJ-MOSFET
SOA
Ta
Tc
Tj
θca
θja
θjc
功耗
外壳温度
安全工作区
封装温度
散热器
散热片
热计算
热阻
结温
芯片温度
超级结MOSFET
降额

Si功率元器件

2018.06.21

导通电阻和Qg更低,有助于实现更低功耗

ROHM在以业界最快的trr(反向恢复时间)著称的PrestoMOS产品阵容中又新增了“R60xxMNx系列”产品。PrestMOS与标准的超级结MOSFET相比,trr减少约60%,从而大大降低...

关键词 :
APF
FRD
IGBT
PrestoMOS
Qg
R60xxMNx系列
trr
传导损耗
全年能效比
再生电流
反向恢复时间
导通电阻
开关损耗
快速恢复二极管
换流损耗
栅极总电荷量
电机驱动器电路
超级结MOSFET
逆变器电路

Si功率元器件

2018.06.21

短路耐受能力更高,且自启动得到抑制

ROHM在以业界最快的trr(反向恢复时间)著称的PrestoMOS产品阵容中又新增了“R60xxMNx系列”产品。PrestMOS与标准的超级结MOSFET相比,trr减少约60%,从而大大降低...

关键词 :
APF
FRD
IGBT
PrestoMOS
Qg
R60xxMNx系列
trr
传导损耗
全年能效比
再生电流
反向恢复时间
导通电阻
开关损耗
快速恢复二极管
换流损耗
栅极总电荷量
电机驱动器电路
超级结MOSFET
逆变器电路

Si功率元器件

2018.06.07

确认芯片温度

在本章中介绍判断所选的晶体管在实际工作中是否适用的方法和步骤。 本文将对虽然右侧流程图中没有提及,但在下面项目中有的第⑦“确认芯片温度”进行说明。基本上只要⑥“确认平均功耗...

关键词 :
IGBT
MOSFET
R6020EN
SiC-MOSFET
SJ-MOSFET
SOA
Ta
Tc
Tj
θca
θja
θjc
功耗
外壳温度
安全工作区
封装温度
散热器
散热片
热计算
热阻
结温
芯片温度
超级结MOSFET
降额