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开关损耗
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使用新一代SiC MOSFET降低损耗实证在EV应用中使用第4代SiC MOSFET的效果:装入牵引逆变器实施模拟行驶试验
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使用新一代SiC MOSFET降低损耗实证在EV应用中使用第4代SiC MOSFET的效果:EV应用
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使用新一代SiC MOSFET降低损耗实证在EV应用中使用第4代SiC MOSFET的效果
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逆变电路中开关器件反向恢复特性的重要性通过双脉冲测试比较PrestoMOS™与普通SJ MOSFET的损耗(实际测试结果)
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使用新一代SiC MOSFET降低损耗实证电路工作原理和损耗分析