Eon

  1.    

    逆变电路中开关器件反向恢复特性的重要性通过双脉冲测试比较PrestoMOS™与普通SJ MOSFET的损耗(实际测试结果)

  2. Si_AP_1-2_f1_R1
       

    通过双脉冲测试评估MOSFET的反向恢复特性通过双脉冲测试评估反向恢复特性

  3. SIC_161220_01
       

    所谓SiC-MOSFET所谓SiC-MOSFET-特征

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