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关键词 : IGBT

Si功率元器件

2018.12.20

总结

本文是Si功率元器件基础篇的最后一篇。此前选取整流二极管、肖特基势垒二极管、快速恢复二极管、MOSFET、超级结MOSFET、Presto MOS、Hybrid MOS等Si功率元件,对其基本特性进行...

关键词 :
BCM
CCM
FRD
HybridMOS
IGBT
MOSFET
PFC
PFC效率改善
PrestoMOS
SiC-MOSFET
SiC-SBD
SJ-MOSFET
SOA
临界模式
功率因数改善
功率因数校正/Power Factor Correction
快速恢复二极管
有源PFC
肖特基势垒二极管
超级结MOSFET
连续模式
降额

Si功率元器件

2018.12.20

总结

本文汇总了SiC的物理特性、SiC-SBD(肖特基势垒二极管)、SiC-MOSFET、全SiC功率模块的关键要点作为最后的总结篇。 <前言> ▶前言 关键要点 ・SiC功率元器件是能...

关键词 :
IGBT
IGBT模块
SiC-MOSFET
SiC-SBD
SiC肖特基势垒二极管
全SiC功率模块

Si功率元器件

2018.12.20

空调用PFC电路 : 利用MOSFET和二极管提高效率的案例

上一篇文章中介绍了在LED照明电路中提升效率并降低噪声的案例,本文将介绍在空调中的案例。近年来,随着表示全年能效比的APF(Annual Performance Factor)在行业中引入实施,提高空...

关键词 :
BCM
CCM
IGBT
MOSFET
PFC
PFC效率
PFC效率改善
SiC-MOSFET
SiC-SBD
SJ-MOSFET
临界模式
功率因数改善
功率因数校正/Power Factor Correction
有源PFC
超级结MOSFET
连续模式

Si功率元器件

2018.12.20

支持工具:全SiC模块损耗模拟器

本文将介绍使用了全SiC模块的设计和评估支持工具。 全SiC模块损耗模拟器 ROHM免费提供可用来探讨和选用全SiC模块的损耗模拟器。仅需选择全SiC模块并设置输入条件,就可以对模块内部的晶体管和二极...

关键词 :
IGBT
IGBT模块
SiC-MOSFET
SiC-SBD
SiC模块评估用缓冲模块
全SiC功率模块
全SiC模块仿真
全SiC模块损耗
全SiC模块支持工具
全SiC模块评估用栅极驱动板
内置反激式电源的双通道栅极驱动器参考板

Si功率元器件

2018.11.22

应用要点: 专用栅极驱动器和缓冲模块的效果

作为应用全SiC模块的应用要点,本文将在上一篇文章中提到的缓冲电容器基础上,介绍使用专用栅极驱动器对开关特性的改善情况。 全SiC模块的驱动模式与基本结构 这里会针对下述条件与电路结构,使用缓冲电容器...

关键词 :
IGBT
IGBT模块
SiC-MOSFET
SiC-SBD
SiC专用栅极驱动器
SiC栅极驱动板
全SiC功率模块
缓冲电路
陶瓷电容器缓冲模块

Si功率元器件

2018.11.22

LED照明电路 : 利用MOSFET提升效率并降低噪声的案例

从本文开始将介绍在具体应用中效率等的改善案例。 LED照明电路(临界模式PFC+DC/DC):利用MOSFET提升效率并降低噪声的案例 下面的电路摘自实际LED照明电路的相关部分。该LED驱动电路是D...

关键词 :
BCM
CCM
DC/DC转换器 效率
IGBT
MOSFET
MOSFET 效率
PFC
PFC效率
PFC效率改善
SiC-MOSFET
SJ-MOSFET
临界模式
功率因数改善
功率因数校正/Power Factor Correction
有源PFC
超级结MOSFET
连续模式

Si功率元器件

2018.10.11

应用要点:缓冲电容器

本文将介绍全SiC模块的应用要点—缓冲电容器。在高速开关大电流的电路中,需要添加缓冲电容器。 什么是缓冲电容器 缓冲电容器是为了降低电气布线的寄生电感而连接在大电流开关节点的电容器。寄...

关键词 :
IGBT
IGBT模块
SiC-MOSFET
SiC-SBD
全SiC功率模块

Si功率元器件

2018.10.11

电流连续模式PFC : 利用二极管提高效率的例子

继上一篇临界模式PFC的例子之后,本文将探讨电流连续模式PFC的二极管特性差异带来的效率差异。 利用二极管改善电流连续模式PFC电路效率示例 这是以前介绍PFC时用过的简化的PFC电路示例。下面来探讨...

关键词 :
BCM
CCM
FRD
IGBT
MOSFET
PFC
PFC仿真
PFC效率
SiC-MOSFET
SiC-SBD
SJ-MOSFET
临界模式
交错式PFC
功率因数改善
功率因数校正/Power Factor Correction
单级PFC
快速恢复二极管
有源PFC
电流连续模式
肖特基势垒二极管
超级结MOSFET

Si功率元器件

2018.09.20

临界模式PFC : 利用二极管提高效率的例子

在实际的应用电路中,二极管和晶体管因其特性和性能不同而需要区分使用。在电源类应用中区分使用的主要目的是提高效率。本文将介绍PFC(功率因数改善)的一个例子,即利用二极管的特性差异来改善临界模式(BCM...

关键词 :
BCM
CCM
FRD
IGBT
MOSFET
PFC
PFC仿真
PFC效率
SiC-MOSFET
SiC-SBD
SJ-MOSFET
临界模式
主动式PFC
交错式PFC
功率因数改善
功率因数校正/Power Factor Correction
单级PFC
快速恢复二极管
肖特基势垒二极管
超级结MOSFET
连续模式

Si功率元器件

2018.09.20

运用要点:栅极驱动 其2

上一篇文章对全SiC模块栅极驱动的评估事项之一“栅极误导通”进行了介绍。本文将作为“其2”介绍栅极误导通的处理方法。 “栅极误导通”的抑制方法 栅极误导通的对策方法有三种。 ①是通过将Vgs降至负电...

关键词 :
CGS
dV/dt
IGBT
IGBT模块
SiC-MOSFET
SiC-SBD
上臂
下臂
低边
全SiC功率模块
开关速度
振荡
振铃
栅极电压升高
栅极电容
栅极电阻
栅极误导通
栅极负偏压
栅极驱动器
米勒钳位
负电压栅极驱动
高边