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产品信息

您可以通过产品阵容树状结构和产品特点,轻松地找到最合适的电源IC、Si以及SiC材料的功率场效晶体管和二极管等相关产品。

线性稳压器

线性稳压器的产品阵容广泛(产品多达900种),其中包括通用型3-pin输出、低功率,、高电流和高电压的产品。此类产品非常适合移动电话、汽车工业系统、 消耗型电子器件、商业型产品和工业设备。

开关稳压器

开关稳压器的产品阵容广泛 (DC/DC转换器),其中包括单一输出和多重输出的降压/升压/降压-升压系统电源供应器(内置功率场效晶体管)。各该产品可提升中央处理器、可编程网关数组(FPGAs)、便携式装置、汽车工业设备、消耗型产品和工业型产品的效率。

绝缘转换器 (AC/DC,DC/DC)

整合功率场效晶体管类型和控制器类型且轻负载的情况下减少功耗的功能。可提供多重保护和减低干扰,使绝缘转换器更为小型也更具高效能。

功率元器件

Si肖特基势垒二极管

兼备VF、低IR、高静电耐压的功率肖特基势垒二极管阵容。在电池控制、电源、包括EV/HV在内的车载等应用中具备低损耗、高可靠性特点。

Si快速恢复二极管

快速恢复二极管有助于大幅提高开关电源的效率,降低损耗。在照明、空调、液晶电视和工业模块等PFC(力率改善)应用中,在DCM(连续模式)以及BCM(临界模式)中发挥最佳特性。

Si MOSFET

凭借独特的SJ(超级结)MOSFET、具备优越的高速开关、低阻抗特点,面向广泛的应用备有产品阵容。用于车载的产品符合车载等级AEC-Q101标准。

【标准SJ MOSEFT AN系列】


【低噪音SJ MOSFET EN系列】


【高速SJ MOSFET KN系列】


【Presto MOS/高速trr SJ MOSFET FN系列】


【Presto MOS/高速trr 低Ron SJ MOSFET MN系列】

  • ■R60xxMNx系列(600V)

【Hybrid MOS GN系列】

SiC肖特基势垒二极管

与Si半导体相比,SiC功率元件可进一步实现小型化、低功耗及高效化。它在高温环境下具备优良的工作特性,且开关损耗更低,作为新一代低损耗元件,备受期待。SiC肖特基势垒二极管可以降低开关损失。在高速开关电源的PFC电路中具有很好的表现。

SiC MOSFET

与Si半导体相比,SiC功率元件可进一步实现小型化、低功耗及高效化。它在高温环境下具备优良的工作特性,且开关损耗更低,作为新一代低损耗元件,备受期待。SiC MOSFET因为开关时的差动放大电流原则上是没有的,所以可以高速运作,开关损失降低。小尺寸芯片的导通电阻低,所以实现低容量、低门极消耗。

SiC功率模块

与Si半导体相比,SiC功率元件可进一步实现小型化、低功耗及高效化。它在高温环境下具备优良的工作特性,且开关损耗更低,作为新一代低损耗元件,备受期待。SiC功率模块与Si(硅)材质的IGBT模块相比,可大幅降低开关损耗。ス开关损失小,在高频环境下特别有利。

 

SiC肖特基势垒二极管裸芯片

SiC肖特基势垒二极管可以降低开关损失。在高速开关电源的PFC电路中具有很好的表现。

 

SiC MOSFET裸芯片

SiC MOSFET因为开关时的差动放大电流原则上是没有的,所以可以高速运作,开关损失降低。小尺寸芯片的导通电阻低,所以实现低容量、低门极消耗。

IGBT:场终止型沟槽IGBT

IGBT(绝缘栅双极型晶体管)面向广泛的高电压、大电流应用,为高效率化和节能化作贡献。通过独特的沟槽栅、薄晶圆技术,实现低VCE(sat)和低开关损耗。

IGBT:点火IGBT

IGBT(绝缘栅双极型晶体管)面向广泛的高电压、大电流应用,为高效率化和节能化作贡献。兼顾低VCE(sat)和高雪崩耐性,适用于车载点火用途,是高可靠性产品。

IGBT-IPM

IGBT-IPM(智能功率模块)是集IGBT和最佳驱动电路、保护功能于一体的模块。可以提高机器效率、简化设计。根据应用的开关频率选择最佳产品。

MOS-IPM

MOS-IPM(智能功率模块)是使用了独有的PrestoMOS的高效模块。相比IGBT产品,可以大幅降低空调应用中的定常运转损失。