ROHM一直专注于功率元器件的开发。最近推出并已投入量产的“SCT2H12NZ”，是实现1700V高耐压的SiC-MOSFET。是在现有650V与1200V的产品阵容中新增的更高耐压版本。不仅具备1700V高耐压，还是充分发挥SiC的特性使导通电阻大幅降低的MOSFET。此外，与SiC-MOSFET用的反激式转换器控制IC组合，还可大幅改善效率。ROHM不仅开发最尖端的功率元器件，还促进充分发挥其性能的控制元器件的开发。

最大限度地发挥SiC-MOSFET的性能，需要优化栅极驱动器

最大限度地发挥SiC-MOSFET的性能，需要优化SiC-MOSFET的驱动、即栅极驱动器。ROHM为了实现谁都可以轻松设计使用SiC-MOSFET的电源，不仅发力SiC-MOSFET的开发，还推进控制元器件的开发。“BD7682FJ-LB”是以将SiC-MOSFET用于功率开关为前提开发的反激式转换器控制IC。

准谐振控制软开关的低EMI工作，突发模式下的轻负载时低消耗电流工作，具备各种保护功能的最尖端功能组成，且搭载为SiC-MOSFET驱动而优化的栅极箝位电路。另外，是工业设备用的产品，因此支持长期供应保证（-LB）。

＜BD7682FJ-LB＞

• 准谐振方式（低EMI）
• SiC-MOSFET驱动栅极箝位电路
• 工作电源电压范围(VCC)：15.0V～27.5V
• 轻负载时突发脉冲工作、降频功能
• 工作电流：0.80mA(typ.)、
     突发时 0.50mA(typ.)
• 待机时低消耗电流：19µA
• 最大振荡频率：120kHz(typ.)
• 工作温度范围：-40℃～105℃
• SOP-J8 封装
     (6.0×4.9mm，1.27mm 间距)
• 保护VCC UVLO，VCC OVP，
     各周期的过电流保护，
     ZT触发器屏蔽功能，ZT OVP，欠压保护
• 面向工业设备长期供应保证

BD7682FJ-LB框图及应用电路例
（点击放大）

与Si-MOSFET解决方案相比，效率改善6%

SCT2H12NZ与BD7682FJ-LB组成的AC/DC转换器与采用Si-MOSFET的电路比较中，确认效率改善达6%（在ROHM制造的参考板上的比较）。同时还可减少发热，因此电路也可小型化。下面是评估板与效率比较数据。

SCT2H12NZ与BD7682FJ-LB的评估板已作为“BD7682FJ-LB-EVK-402”在网上销售，因此可立即进行使用优化SiC-MOSFET的反激式转换器的评估。ROHM除该反激式转换器评估板之外，还备有全SiC模块的栅极驱动器评估板等。与以往的Si元器件相比具有优异特性的SiC-MOSFET，工作电路也需要优化，全部从没有参考的状态进行评估是非常艰苦而细致的工作。总之，希建议望尝试运行SiC元器件的各位、希望提高开发效率的各位使用我公司的评估板。请参考ROHM官网的“SiC支持页面”。