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重点必看

600V SJ-MOSFET:R60xxJNx系列

反向恢复时间极快且可提高设计灵活性的“PrestoMOS”

关键词
  • PrestoMOS
  • R60xxJNx系列
  • 30种机型
  • 反向恢复时间(trr)极快
  • 不产生误开启(Self Turn-on)现象
  • 降低引发误动作的噪声
  • “降低稳定运行时的功耗”课题
  • 栅极电压的升高量减少20%
  • MOSFET导通的阈值(Vth)提高约1.5倍
  • 软恢复指数改善30%
  • 噪声的优化更容易

ROHM独有的超级结MOSFET产品PrestoMOS,运用ROHM独创的Lifetime控制技术优势,实现了极快*的反向恢复时间(trr),非常有助于降低空调和逆变器等应用稳定运行时的功耗,因而已经作为IGBT的替代品受到高度好评。 *截至2019年3月15日 ROHM调查数据

此次,在以往的产品阵容基础上,新增了新开发的“R60xxJNx系列”共30种机型。产品特点如下:

  • 反向恢复时间(trr)极快。与IGBT相比,轻负载时的功率损耗降低约58%。
  • ・采用不产生误开启(Self Turn-on)现象的设计,消除损耗增加的一个原因。
  • ・优化体二极管的特性,改善软恢复指数,降低引发误动作的噪声

这些特点不仅可降低应用的损耗,还使电路的优化更容易,设计的灵活性更高。

反向恢复时间(trr)极快,与IGBT相比,轻负载时的功率损耗降低约58%

包括空调和冰箱在内,白色家电多使用变频电路进行电机驱动,以往开关元件多使用IGBT。然而,作为近年来节能需求的一部分,降低稳定运行期间的功耗已经为重要课题。ROHM于2012年首次将PrestoMOS投入市场,这是以极快的反向恢复特性为特点的功率MOSFET,因其在解决“降低稳定运行期间的功耗”课题方面的优异表现,而获得了高度好评。

采用“不产生误开启现象”设计,消除损耗增加的一个原因

通过优化MOSFET结构上存在的寄生电容,将开关时的栅极电压升高量降低了20%。另外,将MOSFET导通的阈值(Vth)提高约1.5倍,是不易产生误开启现象的设计。优化了栅极电阻值(损耗的原因之一),可降低损耗。

改善恢复特性,降低引起误动作的噪声

通常,SJ-MOSFET体二极管的恢复特性为硬恢复。通过优化结构,与以往产品相比,R60xxJNx系列的软恢复指数改善了30%,不仅保持了极快的反向恢复时间(trr),还成功减少了噪声干扰。这使得设计时的栅极电阻等带来的噪声更容易优化

R60xxJNx系列的产品阵容如下:

Package
  TO-252
(DPAK)
[SC-63]
TO-263
(LPT(S) D2PAK)
[SC-83]
TO-220FM TO-247
Ron typ
(mΩ)
1100 R6004JND3 R6004JNJ R6004JNX  
720 R6006JND3 R6006JNJ ☆R6006JNX  
600 R6007JND3 R6007JNJ R6007JNX  
450 R6009JND3 R6009JNJ R6009JNX  
350   R6012JNJ ☆R6012JNX  
220   R6018JNJ R6018JNX  
180   R6020JNJ R6020JNX R6020JNZ4
140     R6025JNX R6025JNZ4
110     ☆R6030JNX R6030JNZ4
90       R6042JNZ4
64       ☆R6050JNZ4
45       ☆R6070JNZ4

☆开发中

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